Cleaning Equipment

FOUP Cleaner

반도체 제조용 Wafer를 담는 용기를 세정하는 장비로 FOUP(Front Open Unified Pod)에 들어있는 이물질을 제거하는 것이 목적인 장비.

Process Application : 300mm Foup Cleaning (Shinetsu, Entegris, etc, All Foup application), Only empty FOUP supply

The Merits : Small Footprint, High throughput, N2 Purge ＆ Close system

Features

• Spin RPM : Max. 200 RPM
• Nozzle : High pressure spray
• DHF, DI Cleaning
• Hot DI Cleaning Hot N2 Blowing, N2 Purge ＆ Close system
• Robot : X-Y-Z-R Axis Robot, Auto Tilting, High Power, Fast Speed

In-situ FOUP Cleaner

Process Application : 300mm FOUP Cleaning (Shinetsu, Entergrise, etc, All FOUP application), None empty FOUP supply

The Merits : Vacuum Out Gassing, FOUP Inspection, OHT Handling Minimize

System Performance

• Spin RPM : Max. 400 RPM
• Nozzle : High pressure spray
• Hot DI Cleaning ＆ Hot CDA Drying
• 2 Vacuum Dryer
• Humidity Check ＆ Particle Check (Optional)
• 6 or 7 FOUP Sticker
• Wafer Dumper

NPK (Nitrogen Purge Kit)

• FOUP 내부 Auto N2 Purge 가능
• FOUP 내부의 O2 제거로 Natural Oxide 성장억제 효과 탁월 (Run 대기 타임 증대로 수율 및 생산성 향상)
• 간단한 개조로 개조비용 최소화
• 기타 설비의 LPM에 NPK를 간단히 적용 가능 (호환성 우수)
• FDC Data 자동화 소프트웨어 가능
• Gate Oxide 공정 후 산화막 성장방지
• Poly Deposition 공정전 산화막 성장방지
• Etch Back 후 Barrier Metal 공정 진행전 산화막 성장방지

Spin Cleaner

Process Application : Spin Develop, Etcher, Strip, DI Rinse, Spin Dryer

The Merits : Small Footprint ＆ Low COO(Reduction Chemical and DI)

System Performance

• FOUP 내부 Auto N2 Purge 가능
• FOUP 내부의 O2 제거로 Natural Oxide 성장억제 효과 탁월 (Run 대기 타임 증대로 수율 및 생산성 향상)
• 간단한 개조로 개조비용 최소화
• 기타 설비의 LPM에 NPK를 간단히 적용 가능 (호환성 우수)
• FDC Data 자동화 소프트웨어 가능
• Gate Oxide 공정 후 산화막 성장방지
• Poly Deposition 공정전 산화막 성장방지
• Etch Back 후 Barrier Metal 공정 진행전 산화막 성장방지